靜電放電主要通過放電輻射、靜電感應(yīng)、電磁感應(yīng)和傳導(dǎo)耦合等途徑危害電子設(shè)備,見圖4—5。
眾所周知,大規(guī)模集成電路之所以體積小、速度快,是因為其內(nèi)部線路之間的間距短、面積小,這必然以犧牲其耐壓、耐流參數(shù)為昂貴代價。如:CMOS電路對靜電極為敏感,其敏感度電壓范圍一般為0~2000V,因此最易因靜電放電而失效。特別是為越來越低的工作電壓所設(shè)計的電路中,由于器件的柵極氧化膜極薄,因而其耐壓界線很低,微小的電荷就能導(dǎo)致器件損壞。靜電放電可使器件內(nèi)部極間電容立即被充到高電壓,使得氧化物遭到破壞,以致造成短路、開路、擊穿和金屬化層的熔融現(xiàn)象。
靜電放電對于電路產(chǎn)生的干擾,主要是在極短的瞬間放電電流對電路的感應(yīng)所產(chǎn)生的噪聲,以及放電電流使基準地電位如機殼地、信號地的電位發(fā)生偏移波動,從而導(dǎo)致對電路正常工作的干擾。這種電磁脈沖干擾有可能引起電子產(chǎn)品的誤動作以及信息的丟失。例如:放電火花產(chǎn)生的電磁干擾有可能使計算機程序出錯或數(shù)據(jù)丟失,導(dǎo)致測量和控制系統(tǒng)失靈或發(fā)生故障??梢?,靜電放電一旦使得應(yīng)用于艦艇上的關(guān)鍵設(shè)備喪失功能,比如:雷達、指控中心、導(dǎo)彈指揮儀等,在戰(zhàn)爭中其后果將是致命的。靜電放電的損害往往只有10%造成電子元器件當時完全失效,通常表現(xiàn)為短路、開路以及參數(shù)的嚴重變化,超出其額定范圍,器件完全喪失了其特定功能;而另外90%會潛伏下來,造成積累效應(yīng),一般情況下,一次ESD后不足以引起器件立即完全失效,但元件內(nèi)部會存在某種程度的輕微損傷,通常表現(xiàn)為參數(shù)有小的偏差或漂移,潛在失效并不明顯,因而極易被人們忽視,若這種元器件繼續(xù)帶傷工作,隨著ESD次數(shù)的增加,積累效應(yīng)越來越明顯,其損傷程度會逐漸加劇,最終必將導(dǎo)致失效。
眾所周知,大規(guī)模集成電路之所以體積小、速度快,是因為其內(nèi)部線路之間的間距短、面積小,這必然以犧牲其耐壓、耐流參數(shù)為昂貴代價。如:CMOS電路對靜電極為敏感,其敏感度電壓范圍一般為0~2000V,因此最易因靜電放電而失效。特別是為越來越低的工作電壓所設(shè)計的電路中,由于器件的柵極氧化膜極薄,因而其耐壓界線很低,微小的電荷就能導(dǎo)致器件損壞。靜電放電可使器件內(nèi)部極間電容立即被充到高電壓,使得氧化物遭到破壞,以致造成短路、開路、擊穿和金屬化層的熔融現(xiàn)象。
靜電放電對于電路產(chǎn)生的干擾,主要是在極短的瞬間放電電流對電路的感應(yīng)所產(chǎn)生的噪聲,以及放電電流使基準地電位如機殼地、信號地的電位發(fā)生偏移波動,從而導(dǎo)致對電路正常工作的干擾。這種電磁脈沖干擾有可能引起電子產(chǎn)品的誤動作以及信息的丟失。例如:放電火花產(chǎn)生的電磁干擾有可能使計算機程序出錯或數(shù)據(jù)丟失,導(dǎo)致測量和控制系統(tǒng)失靈或發(fā)生故障??梢?,靜電放電一旦使得應(yīng)用于艦艇上的關(guān)鍵設(shè)備喪失功能,比如:雷達、指控中心、導(dǎo)彈指揮儀等,在戰(zhàn)爭中其后果將是致命的。靜電放電的損害往往只有10%造成電子元器件當時完全失效,通常表現(xiàn)為短路、開路以及參數(shù)的嚴重變化,超出其額定范圍,器件完全喪失了其特定功能;而另外90%會潛伏下來,造成積累效應(yīng),一般情況下,一次ESD后不足以引起器件立即完全失效,但元件內(nèi)部會存在某種程度的輕微損傷,通常表現(xiàn)為參數(shù)有小的偏差或漂移,潛在失效并不明顯,因而極易被人們忽視,若這種元器件繼續(xù)帶傷工作,隨著ESD次數(shù)的增加,積累效應(yīng)越來越明顯,其損傷程度會逐漸加劇,最終必將導(dǎo)致失效。

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